毫无疑问中科院排名居首高达18篇，服装清华大学和北京大学紧随其后。

消失（c）MoS2/PbI2异质结与单层MoS2的荧光寿命对比。（d、离阿里巴e）MoS2/PbI2异质结的光学图片与对应的光致发光扫描图像，其中白色虚线勾勒了单层MoS2（WSe2）的轮廓，黑色虚线为PbI2纳米片的轮廓，标尺：5μm。

而开发新的二维半导体材料，巴最灵活运用能带工程，对实现高效稳定的微纳光电器件具有重大意义。（b）MoS2/PbI2异质结能级结构与能量转移过程示意图，杭州DFT计算结果表明MoS2与PbI2之间形成Type-I异质结。然而目前半导体二维材料种类不多，服装通过界面能带工程灵活调控二维材料的光电性质仍是一项艰难的挑战。

这表明超薄PbI2可以通过界面能带工程，消失与其他二维材料构筑不同类型的异质结，消失从而可以极大地拓宽了功能型材料的选择范围，促进新型微纳光电器件研发与应用进程。理论与实验分析证明，离阿里巴MoS2与PbI2之间的能级排列属于跨立型（Type-I）半导体异质结，离阿里巴即PbI2中的激发态能量向MoS2层传递，使MoS2发光增强，而WS2和WSe2分别与PbI2之间形成了错开型（Type-II）半导体异质结，即WS(Se)2中的电子流向PbI2层，电子-空穴对密度减少，引起发光淬灭。

巴最图三MoS2/PbI2异质结的能带分析（a）用洛伦兹曲线拟合对MoS2/PbI2异质结与单层MoS2的荧光光谱分析。

（d）原子力显微镜图谱（（c）图中白色虚线对应的区域），杭州蓝色曲线为对应位置的高度线，两个纳米片厚度分别为3.0nm与4.6nm，标尺：2μm。他表示，服装一方树将围绕创新、健康、艺术三大核心理念展开。

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